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[求助] VCO中的粗调电容用的mos开关,有必要用rf器件吗?

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发表于 2021-1-27 09:31:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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粗调电容阵列,目前想用Cmom+开关nmos+Cmom的结构。
btw其实加粗调不是为了TR,但只用Cvar的Q值变化太大了,在低频端起振条件还挺苛刻,而且我用不到那么宽的TR,所以用一部分mom+开关来补一些Q,忍受一些TR的损失。

开关mos当然想阻抗尽量低,寄生电容尽量小,看了一下发现ulvt器件只有非rf器件才有……
rf器件最低只有lvt的管子,估计换rf器件,会不可避免的多用一些,寄生上去,TR缩小。

但是呢,做版图的时候发现,用非rf器件,calibre 提取寄生L时不知道抽什么风,会把一个设计ron=1.5的开关mos提完了后仿,实阻抗接近6,整个谐振LC环路的Q值瞬间崩了。
你又不可能说版图只提RCCC,从电感出来那么长走线呢肯定有不少寄生电感。
当然是可以把VCO拆成两个部分,一部分是开关mos,只提个RCCC,一部分是交叉rf nmos对、Cvar、电感、走线和开关mos两边的mom电容,可以提RCCCL。然后两边接起来做个后仿。
但是,也不能说这个开关mos,是完全工作在射频信号可忽略的点上吧?
当它选通时,当然可以认为差不多是SD两端被偏置电阻拉到0电位左右,SD两端之间的阻抗也很低,mos左右两侧振幅也很低。勉强认为是差不多工作在射频信号可忽略的点上。
但当它不选通时,就是SD两端的寄生电容和mom做一个电容分压,SD两端振幅还挺大的,基本可以跟VCO的输出振幅比拟了。这样也可以认为这个开关mos工作在射频信号可忽略的点上吗?虽然现在它是一个不导通的状态,但这个不导通的非rf器件的模型,在两端振幅有接近±VDD、频率为20GHz的状态下,模型还准吗?



发表于 2021-1-27 14:48:35 | 显示全部楼层
走线和器件分开抽取。器件包括mos对、momcap、开关、Cvar抽RCCC,其余的全部走线用emx抽,这样最准
 楼主| 发表于 2021-1-28 09:43:01 | 显示全部楼层


TCted 发表于 2021-1-27 14:48
走线和器件分开抽取。器件包括mos对、momcap、开关、Cvar抽RCCC,其余的全部走线用emx抽,这样最准
...


这里又回到这个问题,为啥我要用calibre xL……
因为pdk里就没有层配置文件,问过代理好几次都说是你就用xL来提电感。
 楼主| 发表于 2021-1-28 09:43:49 | 显示全部楼层


TCted 发表于 2021-1-27 14:48
走线和器件分开抽取。器件包括mos对、momcap、开关、Cvar抽RCCC,其余的全部走线用emx抽,这样最准
...


不过这个粗调电容的开关真的用非rf的器件没问题吗……
发表于 2021-1-28 10:58:28 | 显示全部楼层


kanon0530 发表于 2021-1-28 09:43
不过这个粗调电容的开关真的用非rf的器件没问题吗……


没问题,我觉得rf器件只是model比较准,前仿结果更靠谱而已。后仿的话用不用rf没那么大区别(加不加dnw其实影响更大一些)
 楼主| 发表于 2021-1-28 11:21:18 | 显示全部楼层


TCted 发表于 2021-1-28 10:58
没问题,我觉得rf器件只是model比较准,前仿结果更靠谱而已。后仿的话用不用rf没那么大区别(加不加dnw其 ...


您又讲到了一个我完全没有概念的点……rf器件外边还得自己手动包一层dnw吗?
还是说如果pdk有提供自带dnw的器件,最好直接用它。如果没有就自己包一层?

包dnw的作用是什么啊?隔绝了外边来的衬底噪声所以我这个rf 器件的模型更准了?
这个dnw是不是还得接一个干净的高电平。
发表于 2021-1-28 12:46:58 | 显示全部楼层


kanon0530 发表于 2021-1-28 11:21
您又讲到了一个我完全没有概念的点……rf器件外边还得自己手动包一层dnw吗?
还是说如果pdk有提供自带dnw ...


pdk里一般有带dnw的器件,主要作用是隔离噪声。
dnw能接到干净电源当然最好,但一般没有额外的电源给你用。对于被干扰源,通常dnw通过star connection合入到顶层电源。
发表于 2021-2-4 15:13:37 | 显示全部楼层
我这仿VCO同样后抽SCA中mos开关管,导通电阻增大很多,这个有没有找到具体原因呢
 楼主| 发表于 2021-2-7 09:08:32 | 显示全部楼层


c290675956 发表于 2021-2-4 15:13
我这仿VCO同样后抽SCA中mos开关管,导通电阻增大很多,这个有没有找到具体原因呢 ...


您是也提取了开关管的寄生电感吗?是的话就是跟我一样的情况,不知道为啥提取开关管的电阻加电感就是得出的实阻抗比只提取开关管寄生电阻得到的实阻抗高四倍。

但如果我把开关管添加到xL 的Hcell 和xcell文件中去,就没有这种情况了。
应该是开关管用的非rf器件如果不在hcell或者xcell文件中,就会提取到管子本身版图上的电感电阻?但还是不懂为何加上提取电感会影响实阻抗。

当然有条件还是按照上面的大佬说的方式,用电磁仿真做连线分析。我之前用过一个工艺提供了电磁仿真环境,就是比xL提取电感要顺很多……
但电磁仿真版图中如果有细碎的ground plane也会仿真速度非常慢。
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