Memory电路设计

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岗位职责：

1、负责定制SRAM Instance电路设计，满足High Speed/Low Power/High Density的定制要求；

2、负责SRAM Compiler电路设计及全流程交付；

3、负责晶体管级电路仿真及性能验证并分析Memory的功能、性能；

4、负责指导版图工程师优化版图布局和结构；

5、设计Memory的 verilog功能模型并进行验证；

6、进行IP 特性化分析及模型到硬件的参数校准；

7、负责配合流片后的测试验证。

岗位要求：

1、微电子相关专业本科及以上学历，5年以上Memory设计相关工作经验；

2、熟悉Memory电路设计，包括SRAM/DRAM/Flash/RF/TCAM/ROM等，精通先进半导体工艺制程和器件物理；

3、熟悉EDA仿真工具的使用包括Hspice,Spetre,HSIM,Finesim等等；

4、了解Memory版图；

5、熟悉SRAM Memory良率分析；

6、具备FinFET设计经验者优先；

7、具备Memory Characterization经验者优先；

8、具备标准单元库或模拟电路设计经验可以考虑。

福利：五险一金  员工福利  加班补贴