当源极和衬底电位不同时，MOS管的I-V公式应该如何表达

ZHZIC

看模集第三章，3.4节源跟随器那里的时候，原理图是这样的：
对于其输入输出特性的表达式是这样的：



上式用到了MOS管在饱和区的I-V公式，本书第二章推导I-V公式的时候，是把源极和衬底接在了一起，但是上图的MOS管的源极和衬底的电位并不一样。因此就有一个问题：这个公式如何解释：
我的理解是，源极和衬底电位不同的时候，看成是体效应（一个非理想效应，在2.3节有讲）
不知道理解对不对，如果不对该如何解释
不知道有没有那种源极和衬底不同时的I-V表达式，不过这样的话，饱和区和线性区的临界点貌似不太好确定

MustafaSami

No, in the above figure, the substrate is inherently connected to the source.

And if it's not connected to the source, it's totally fine>> the threshold voltage will be a little higher (around 1.2 times higher) so not a big deal, just include it in your design specs

jmf

对的，是体效应。饱和区和线性区的临界点简单根据Vth0去算一下就行了，一般过驱动电压都会留有裕量不会靠近临界点。当然也可以带入体效应公式去求精确解，不过那样就太繁琐了，实际也不好用

acging

这个公式忽略了体效应。
如果真要考虑的话，求解vout会非常繁琐。