MOS管SIR172ADP-T1-GE3和TLP291（TP,SE光隔离器

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下面是产品信息，仅供参考。
1、N沟道 DFN-8  30V/24A  MOS 场效应管
型号：SIR172ADP-T1-GE3
规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	44nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1515pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	29.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	PowerPAK® SO-8

2、光隔离器 - 晶体管，光电输出
型号：TLP291（TP,SE
规格

通道数	1
电压 - 隔离	3750Vrms
电流传输比（最小值）	50% @ 5mA
电流传输比（最大值）	600% @ 5mA
接通 / 关断时间（典型值）	3µs，3µs
上升/下降时间（典型值）	2µs，3µs
输入类型	DC
输出类型	晶体管
电压 - 输出（最大值）	80V
电流 - 输出/通道	50mA
电压 - 正向 (Vf)（典型值）	1.25V
电流 - DC 正向 (If)（最大值）	50mA
Vce 饱和压降（最大）	300mV
工作温度	-55°C ~ 110°C
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	4-SOIC（0.179"，4.55mm 宽）
供应商器件封装	4-SO