出IPB90R340C3和IPAN65R650CE晶体管场效应管

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第一个型号：IPB90R340C3  晶体管  N沟道场效应管 TO-263
规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	340 毫欧 @ 9.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	94nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2400pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

第二个型号：IPAN65R650CE  晶体管场效应管 TO220
规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	650 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 100V
FET 功能	超级结
功率耗散（最大值）	28W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220 整包
封装/外壳	TO-220-3 整包