TSMC的低压5V器件的DRC报错问题

fumes

PDK产生一个器件，然后就跑这一个器件的DRC报错。
所以问题是，如果芯片最高压是5v，那么怎么能不做隔离又不违反规则呢？是DRC的设置问题，还是这个工艺必须做隔离的器件，感觉很不合理啊，请做过这个工艺的高手指教下，谢谢。
poly高阻也有这个问题，调用poly高阻的pdk，然后drc，报错。
   lviso{each lv device region must bu surrounded by pw/hvpw and p+ iso ring.}这个也很奇怪啊，poly电阻外围做环仅仅是减少衬底干扰及偏置，poly电阻下方有OXIDE隔着，所有这个环应该是有比较好，没有也无所谓的啊，为啥会有这么一条DRC rule呢？