关于open/short fail

lusiyuqwerty · 发表于 2019-3-25 20:23:17

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产品在后线检出os fail ,开盖分析是die peeling,从哪一站找原因?saw还是wire bond注:fail pin有集中性集中在die的其中一边。还是说wafer本身有问题?

JohnHilo · 发表于 2019-3-26 10:55:27

这个用X光照下不就知道了么？

lusiyuqwerty · 发表于 2019-3-26 14:17:36

JohnHilo 发表于 2019-3-26 10:55
这个用X光照下不就知道了么？

照过，也扫过sem，看的出来部分次品有从硅层有裂纹延伸到电路层。现在不知道是哪一站造成的，比如saw站不知道是镭射造成的还是saw造成的还是多个原因。

JohnHilo · 发表于 2019-3-26 15:03:07

我猜测是saw造成的，工艺要求的scribe 宽度是多少？是不是这块没有管控好？

lusiyuqwerty · 发表于 2019-3-26 19:35:29

镭射宽度40到45um切割道大概30，确实有考虑过是wafer太脆弱，saw精度达不到，但这样等于无解了，因为已经用了最窄的刀了

firewolf223 · 发表于 2019-4-25 09:48:02

没有inline的量测么？到最后才发现peeling

lusiyuqwerty · 发表于 2019-8-19 10:42:32

firewolf223 发表于 2019-4-25 09:48
没有inline的量测么？到最后才发现peeling

inline检测不出来，实验室最后照偏光显微镜看出来的，表面无异常

zhangyonggang · 发表于 2020-12-23 17:30:21

谢谢分享

zdomain · 发表于 2021-3-28 20:06:53

Thanks for sharing

xlteam2 · 发表于 2021-4-13 23:36:06

very good

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