高性能的ESD保护结构

xihuwang

各位专家：      1）是否厚栅氧器件过流能力比较好?(因为没有LDD，另外电流远离表面)
      2）厚栅氧的击穿电压是否等于薄氧器件的漏体击穿电压，二者的触发电压是否一样
      3）如图1，采用衬底驱动的话，厚栅氧器件的触发电压是否可降低为齐纳管的击穿电压
      4）哪位有衬底驱动厚栅氧器件的设计或测试资料，比如有/无衬底驱动时的触发电压，过流大小等
      5）如果想要得到高触发电压的结构，如图2那样，采用四级串联，其触发电压是否约等于齐纳二极管击穿电压的4倍？

andyjackcao

各位专家：      1）是否厚栅氧器件过流能力比较好?(因为没有LDD，另外电流远离表面)
      2）厚栅氧的击 ...
xihuwang 发表于 2018/7/20 16:36

                               
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谈一下个人的想法：可能不成熟~~
      1）是否厚栅氧器件过流能力比较好?(因为没有LDD，另外电流远离表面)
           你是不是想说场氧器件的ESD能力较好？
           是这样的

           如果是厚栅氧器件，这个得看工艺。厚栅氧器件的ESD能力，不仅取决于栅氧，还取决于漏端PN结（漏端工程）。LDD结构，是影响ESD能力一个很重要指标，Salicide工艺也影响，高-K材料等也要影响器件的ESD能力。
           对于大节点工艺，影响MOS器件的主要为LDD工艺和漏端工程

      2）厚栅氧的击穿电压是否等于薄氧器件的漏体击穿电压，二者的触发电压是否一样
          栅氧击穿电压与栅氧的材料、工艺、厚度紧密相关。

      3）如图1，采用衬底驱动的话，厚栅氧器件的触发电压是否可降低为齐纳管的击穿电压
          基本上是的，当流过电阻的压降大于VBE，可让寄生的PNP开启

      4）哪位有衬底驱动厚栅氧器件的设计或测试资料，比如有/无衬底驱动时的触发电压，过流大小等
         IEEE搜吧

      5）如果想要得到高触发电压的结构，如图2那样，采用四级串联，其触发电压是否约等于齐纳二极管击穿电压的4倍？
        如果寄生器件的BV电压远高于4*Vz，是这样的。就是要关注NW/SUB的击穿电压

xihuwang

回复 2# andyjackcao


   感谢回复！
   1）对于四级串联结构，是否会因为衬底电流分流，使得四个TFO器件的导通情况不一致？
  2）没有下载IEEE论文的权限，所以大家是否能上传论文或资料？

andyjackcao

[i=s] 本帖最后由 andyjackcao 于 2018-7-22 10:41 编辑 [/i]

[quote]回复  andyjackcao


   感谢回复！
   1）对于四级串联结构，是否会因为衬底电流分流，使得四个TFO器 ...
xihuwang 发表于 2018/7/22 08:45 [/quote]
   1）对于四级串联结构，是否会因为衬底电流分流，使得四个TFO器件的导通情况不一致？      
       在PW/HNW击穿前，齐纳二极管击穿的电流，不仅从电阻流走。随着开启级数的增加，齐纳二极管击穿电流，不仅需要提供IR压降让VBE开启，还要提供衬底电流分流，以维持已经开启的器件。      那么，这是有理论支持因为衬底分流，导致四个器件的开启条件不一样，如果齐纳二极管可提供的电流足够大，这种差异就会小很多