学习总结：几个不同角度起名的电阻的理解

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以下是自己的学习总结，给自己留下思考的记录，欢迎讨论：

电压源内阻：电压源的职能是给负载提供稳定的电压。电压源的内阻无穷小，电压源所占本身内阻分的电压就无穷小，这样即使负载电阻变化较大，其得到的电压也不会变化太大，得到的电压越稳定。所以电压源内阻越小越好。

电流源内阻：电流源的职能是给负载提供稳定的电流。电流源的内阻无穷大，流经内阻的电流无穷小，这样即使负载有较大的变化，其得到的电流也很稳定。所以电压源内阻越大越好。

MOS管的导通电压ron：MOS处于深三级管区时，当栅源电压固定时，Ids与Vds成线性变化，此时漏源之间的电阻恒定，用ron表示。当栅源电压改变时，ron随之改变。处于线性区，栅源电压越大，ron越小。如NMOS管作开关用时，栅源电压为VDD时，NMOS管导通电阻很小。

MOS管的漏源电阻ro：一般情况下我们说“MOS管是压控电流源”，这里的电压指栅源电压，即栅源电压改变时，漏源电压会随之改变。由于沟道调制效应，漏源电压的变化也会带来漏源电流的变化，也可以说是一个电压控制的电流源。此时，漏源电压变化量和漏源电流变化量的比值即为ro。也可以通过漏源电压对漏源电流求导得到ro，此时的电流用处于饱和区考虑沟道调制效应的电流公式来带入，可以得到ro与漏源电流成反比（具体步骤参见拉扎维书第29页）。

ps：开悟较晚，通过向外输出打磨自己的基础。