艾伦的cmos模拟

super成

刚看到艾伦的第四章模拟CMOS子电路，看到最后一个带隙基准一头雾水，前面子电路都有电路图以及相关的解释，带隙基准大部分都在讲VBE对温度的依赖，该怎么梳理这部分的内容？？？

hurongguang

1.VBE的温度系数为负的，VBE的差值(VBE1-VBE2)=VT*lnn温度系数为正的。保持在常温附近的温度系数为0，这是带隙的需求。
2. 一般大致估算（老工艺） VBE的温度系数 -1.5mV/k 正温度+0.087mV/k。构造：
   VREF = VBE + VT * m*lnn 使得m*lnn大致为17.2。这个值出来一般就在1.25V。m一般为电阻比例值。
3. 各种结构就是为了构造上述表达式。构造老点的你看Razavi的，新的你找几篇论文看看。我电脑上暂时没有，在论坛上搜搜，应该很多。
4  其他的为了追求极致的 做曲率补偿的就是进阶的过程了。
5.  带隙还有一部分 是启动电路，环路稳定性等，这部分需要在论文上学习了解。
6. 当然BJT的一些基础内容你还是需要知道的，这对深入理解带隙还是很有帮助的。