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查看: 4574|回复: 8

[讨论] 为什么Hot Nwell的宽度要加大?

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发表于 2016-7-4 13:19:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教大家:    请教大家:    某fab的0.18 3.3/5V CMOS工艺的设计规则中规定:
1)最小Nwell 的宽度   0.86um。
2)最小 hot Nwell(没接最高电位VDD)的宽度   2.1um。
  这是什么原因?以前知道hot Nwell到旁边Nwell、N+ TO间距要放大,是为了防止潜在latch up风险。实在想不明白宽度也要加大?此处的hot Nwell不是用来做Nwell 电阻的,规则中另外有单独定义做电阻最小Nwell宽度的。
发表于 2016-7-4 22:59:05 | 显示全部楼层
抱着学习的态度 我也想求个知道什么是hot NWELL
发表于 2016-7-5 09:22:07 | 显示全部楼层
hot Nwell 应该就是这个井的电位不是固定的吧
 楼主| 发表于 2016-7-5 22:24:49 | 显示全部楼层
相对hot nwell的是cold Nwell,即接电源VDD的Nwell。
hot nwell即不接VDD的Nwell,因其可能接Pin或易受其他外界因素如脉冲、信号影响,可能出现负电位、或高于VDD的电压,容易导致寄生管导通、latch up等问题。
 楼主| 发表于 2016-7-5 22:26:06 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2016-7-12 10:07:28 | 显示全部楼层
请了解的大侠不吝指教啊
 楼主| 发表于 2016-7-31 22:05:22 | 显示全部楼层
顶起来
 楼主| 发表于 2016-8-3 23:12:10 | 显示全部楼层
请了解的大侠不吝赐教啊!!!
 楼主| 发表于 2016-11-29 22:20:07 | 显示全部楼层
顶起来
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