关于threshold exactor circuit的一些问题

tobytian · 发表于 2016-6-17 14:59:51

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在本文中提到了晶体管ACM MOSFET model 一词，反型区包括 weak and moderate inversion，我存在的问题有以下两个：
1.这个ACM MODEL与我们平时应用的模型有什么区别？难道只是将工作在反型区的工作状态进行了细分和量化么？
2.在这个threshold exactor circuit中应用了该模型，M3工作在三极管区，其他管子均工作在moderate inversion，因而if1=3，因而知道了其他的if的大小和跟if1的关系，我的问题就在于，即使我知道了if1=3，我又不知道确切的ID1的大小，我怎么对M1的宽长比进行确定，从而确定其他的MOS管的尺寸呢，如果我想实现这篇论文里的电路架构，我应该从哪里开始设计起呢？虽然文中附有每个管子的尺寸，但是每个工艺对应的参数不同，宽长比大小肯定也不太一样，本人是初学者，望多多指教，谢谢

Sub-1 V Supply Nano-Watt MOSFET-Only Threshold voltage exactor circuit.pdf (1.88 MB, 下载次数: 4 )

An MOS Transistor Model for Analog Circuit Design.pdf (215.97 KB, 下载次数: 2 )

tobytian · 发表于 2016-6-18 10:23:46

求助有没有同志们看过这两篇论文的？这两个问题需要解决一下啊

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