mim电容因天线效应发生击穿问题探讨

forever'

回复 10# tuohong


   大概就是这样了，谢谢你的回答！

Rucas

回复 9# forever'


   没有用过T的工艺。   如果是为了防止ESD的话，这个Diode应该是正向连接；
   我不知道T工艺中MIM电容的击穿电压是多少，但是应该是比Diode的反向击穿电压要高。