高阈值低压降的电流源设计

quantumdot

求大神指导高压电路中恒流源的设计（精度误差0.2%），采用浮动地VS，VDD与VS压差为5±0.1V，高压N/PMOS的Vth>1.5。以下为双层结构：
方法一：如图所示，普通低压管VDD电压>5V,高压管至少大于8V


方法二：将电阻插入作self-bias，对于普通低压管4.3V（电流100uA，低电流下VDD还可以更低一点）左右就可以正常工作


如果采用单层，输出精度又特别差，我想了一下如果将第二种结构的第二层VG使用额外的偏置电压，我又该怎样设计呢？






除了这些，是否可以对单层结构采用运放呢？或者还有其它比较好的方法，望大流们指导指导。