三星電子、SK 海力士 與美光 2016 年開始量產 18 奈米 DRAM

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三星電子、SK 海力士（SK Hynix）與美光（Micron Technology）預料都會在 2016 年開始量產 18 奈米製程技術的 DRAM，下一個目標則將瞄準 10 奈米。
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BusinessKorea 13 日報導，三星、SK 海力士在量產 18 奈米 DRAM 之後，打算運用 ASML 製造的極紫外光（EUV）微影設備，目標是在 2020 年將 DRAM 製程技術逐步從 15 奈米進一步演進至 10 奈米。美光也打算在一年內對日本廣島廠注資 1,000 億日圓（相當於 8.34 億美元），量產 16 奈米製程 DRAM，產量可較 20 奈米製程多出 20-30%，對三星與 SK 海力士構成威脅。
不過，想要克服 20 奈米製程的限制，則必須改變介電層的設計，才能使用原子結構比現有的分子結構更為緊密的材料，而美光目前還未取得相關技術，也讓市場專家對美光的野心產生懷疑。另外，若想要導入 16 奈米製程技術，美光也需購入每台要價 1,000 億韓圜（8,700 萬美元）的 EUV 設備，該公司對日本的投資額還不太夠，而 ASML 每年也僅能生產 7-8 台 EUV 設備。 相較之下，三星打算在明年下半年開始量產 18 奈米 DRAM，並計劃將 DRAM 的製程技術從 18 奈米演進至 15 奈米、並於 2020 年進一步拉升至 10 奈米。SK Hynix 在今年第 3 季成功量產 20 奈米 DRAM 之後，將在明年第 1 季研發 18 奈米技術，希望最快能趕在明年下半年量產 18 奈米 DRAM。業界消息人士指出，三星在 20 奈米 DRAM 與競爭對手保持了一年（甚至更多）的差距，但在 10 奈米預料會面臨對手競爭