FeRAM 並沒有如預期般迅速崛起

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FeRAM 1990年代中期被認為將成為主流技術，但至今仍與其他眾多新記憶體技術一樣，並沒有如預期般迅速崛起。FRAM的內部運作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃記憶體的非揮發性；在1980年代首個成功的FRAM電路問世，其通用功能就被認為可以在許多應用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。
「那樣的情況就是沒有發生，」半導體產業分析師Jim Handy (來自Objective Analysis)在Cypress收購FRAM供應商Ramtron時表示：「該技術總是比生產傳統記憶體更昂貴。」自1980年代晚期，FRAM開發商因為對鐵店材料的物理特性了解有限，而遭遇了各種問題；其中有很多與其他具潛力的、開發中的非揮發性記憶體所面臨之問題類似，例如磁阻式記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)以及相變化記憶體(PCM)。
儘管一路顛簸，FRAM目前已經商業化量產，有適合多種應用的不同產品線。Handy 在最近表示，有人觀察到：「 FRAM是未來的技術，而且注定要維持那樣的模式；FRAM在某一段時間在某些方面是有潛力的，但還沒有真正走向主流。」
如同所有的記憶體技術，成本是開拓市場的一大障礙；FRAM需要一層沉積在標準矽基板上的鈣鈦礦(Perovskite)晶體，鈣鈦礦晶體內含的元素會干擾矽電晶體，因此需要一個障礙層隔離鈣鈦礦與下方的矽基板。Handy表示，這種結構提高了FRAM元件的製造成本。



feRAM 真會起來嗎 ??

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Perovskite: CaTiO₃. 你的意思是Ca对Si的影响很大，还是其他杂质离子？