光刻次数

cxh · 发表于 2015-7-17 10:50:10

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掩膜版的数量决定了工艺流程中所需的最少的光刻次数，那掩膜版之外的光刻次数如何计算？与哪此有关？请各位指教一下，谢谢！

cxh · 发表于 2015-7-17 17:18:35

都没有回复。

kingyuan · 发表于 2015-10-12 01:20:53

应该与版图设计的层数有关，每一层需要一个掩模板，每个掩模板光刻一次，故有多少层就至少需要光刻多少次！
书上看得，不知道对不对

icfbicfb · 发表于 2015-10-12 17:14:15

和曝光机的机制有关系啊，什么stepper等，具体不了解

张学胜 · 发表于 2021-1-8 12:55:37

66666

yueywcy · 发表于 2021-2-10 01:47:02

和工艺以及芯片结构有关。

划水的咸鱼 · 发表于 2022-3-29 20:44:29

看工艺了，不一定一层一次

zddfly · 发表于 2022-4-7 08:51:26

看工艺

wsrzsg · 发表于 2022-5-6 21:28:51

不是很理解楼主的问题。就简单聊聊，如果刚好回答了问题那最好。
一般来说mask数量跟制造工艺相关，也跟FAB相关。同一工艺比如55nm LL .SMIC需要40张mask, TSMC可能只要30多张。那掩膜版用的少，光刻次数自然就少。
另外一张mask 在一张wafer上，同一个工序要曝光多少次应该是取决于wafer的大小，12寸和8寸的reticle数量就不同。所以次数上会有差异。12寸55nmLL工艺一张mask要曝光124次。

[讨论] 光刻次数

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