求助！关于bandgap的温度特性问题

td2014 · 发表于 2015-3-27 19:23:43

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

调试好电路之后，其他性能都还不错，只是温度扫描的时候出现一个很怪的图形，如下，希望有大神帮忙看一下。。。

alienwarexie · 发表于 2015-3-28 14:53:06

好高深啊

mscircuit · 发表于 2015-6-4 09:12:31

启动电路有问题，不能保证Diode两支路Ibias正常起来。
上图的启动电路，只能对左侧Iref电路有用；但也不慎安全，因为没有对Iref的直接检测，只是VDD刚上电给Cap充电的时间段里，向Iref充电。如果在此时间内Iref仍不能起来，或起来又下去了，启动电路不能继续给Iref启动充电。

该启动电路的唯一优点是，无DC电流，节省一点电流而已。

bing02022 · 发表于 2015-6-17 10:58:29

楼上说的是一个方面，还有另外一个方面，就是你的几个电阻的阻值可能不对，太大或者太小了，根据推导出来的公式调一下应该就正常了

td2014 · 发表于 2015-6-17 20:06:50

回复 4# bing02022

非常感谢，我试一下。还有一个问题想请教：电阻最小值怎么计算？我看了看文献，上面的电阻值都很大。。。

bing02022 · 发表于 2015-6-17 23:27:15

回复 5# td2014

一般的这种结构，R1和R2是取一样的值。如果忽略ID1和ID2，那么

VREF=R4*I10=R4*(IR2+ID2)=R4*{VD1/R1+(VD1-VD2)/R3}={VD1+(VD1-VD2)*R1/R3}*R4/R1那么，R1/R3的值就是调节温度系数的，比如可以取ID2为6uA（取多少你可以仿真一下VBE随IC的变化情况，以及你自己电路的要求来定）这样就可以计算出R3=(VD1-VD2)/ID2，然后调节R1即可调节温度系数。

其实计算过程不是这么简单，我只是简单的说了，再给你发个硕士的论文，里面的计算还挺详细的，你参考吧。

高精度高电源电压抑制比CMOS带隙基准源设计.pdf (12.2 MB, 下载次数: 34 )

[求助] 求助！关于bandgap的温度特性问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /1