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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › RF 小白求问 关于mos管得s参数问题
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查看: 2067|回复: 2

[求助] RF 小白求问 关于mos管得s参数问题

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onlycflxzh
发表于 2015-2-8 00:21:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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今天在仿管子的s参数, 发现管子的偏置（如Vgs）会影响管子的s21和noise figure 有人知道是为什么吗？
figure, 影响

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imecas2000
发表于 2015-2-11 19:31:29 | 显示全部楼层
把mos的基本特性搞清楚就知道了。
不过定量的求解可以参考射频电路书，如池宝勇的
EETOP创芯人才网简历投递入口
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imecas2000
发表于 2015-2-11 19:34:13 | 显示全部楼层
简单来淑说，gm随vgs增大而增大，非线性，增益增大，电流增大，沟道噪声等其他噪声相应变化
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