关于MOS工作区域的划分？

ly143 · 发表于 2021-8-24 10:47:34

看到了一个这方面应用的电路图，不知道他这个弱反型和强反型是如何偏置的图片.png

DRV8301 · 发表于 2023-8-23 13:46:01

学习

啊随随 · 发表于 2024-4-19 11:50:06

zwtang 发表于 2014-10-21 17:52
回复 2# taohuachangkai

老师，您好，饱和区又可以分为弱反型(亚阈值)，这里vgs是不是比vth大一些呢，只不过大的幅度比较小？100mv左右？

zwtang · 发表于 2024-8-4 08:57:00

啊随随发表于 2024-4-19 11:50
老师，您好，饱和区又可以分为弱反型(亚阈值)，这里vgs是不是比vth大一些呢，只不过大的幅度比较小？100m ...

弱反型(亚阈值)与强反型，过驱动电压VGS-VTH的边界大概在80mV。小于80mV，可以认为开始进入弱反型。

VGS-VTH=-25mV，是目前我们课题组选择弱反型最小过驱动电压。再小，W值太大了！

zwtang
2024/8/4

ic_vanne · 发表于 2024-11-20 14:33:46

学习学习

xiaoAfeng · 发表于 2024-11-20 15:54:05

啊随随发表于 2024-4-19 11:50
老师，您好，饱和区又可以分为弱反型(亚阈值)，这里vgs是不是比vth大一些呢，只不过大的幅度比较小？100m ...

亚阈值区VGS不是小于阈值的吗

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