MM ESD 正負pulse 兩者失效之關聯性

tq0010c

楼主采用的clamp应该是gate-driven 结构，不知道其中的NMOS是电流全部走沟道，还是即会走沟道，也会breakdown使用寄生BJT导电
Chip测试MM到200V才死，说明RC触发应该没问题，我觉得或许是hold voltage出现问题了

libinphy

FA坏在里面的PMOS,证明ESD泄放的通路已经深入内部,解决方案可以从两个方向入手:
1）提高外围ESD通路泄电能力, 减少泄电阻抗; 一般可用并联的方法, MM需要同时考虑+,-两个方向。
２）增大内部电路的阻抗，或者抗ＥＳＤ能力；　这个你需要看下你这个ＰＭＯＳ的版图是否有薄弱的地方，后者在周围放些保护的器件。

yuray12

因为MM模式测试的独特振荡电流波形吧，VDD-VSS测+200V也好，-200V也好，都要过正负向电流，所以都会打坏。所 ...
math123 发表于 2014-9-18 10:26

                               
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    感謝!! 這樣是不是說 若把 +200v的問題解掉，那-200v的問題也會同時被解決?
    另外 CDM應該也是相同原理吧?