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[求助] CMOS工艺下的Diode结构ESD

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发表于 2014-2-20 15:09:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

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5V标准CMOS工艺下,要用到doide结构的ESD,只能用到P+/NWell结反向强抗谁有设计成功经验?求帮忙!
发表于 2014-2-20 17:52:34 | 显示全部楼层
anyone to answer ?
发表于 2014-9-18 11:16:59 | 显示全部楼层
want to know it too !
发表于 2014-9-18 22:33:56 | 显示全部楼层
说的是拿MOS管做二极管用的那种ESD么,我见过一种不知道是不是你所说的。据说还有钳位作用,不过占用的面积稍微大些
发表于 2014-9-18 22:39:57 | 显示全部楼层
樓主說的是使用 PN JUCTION 當 esd diode , 一般CMOS 多數  mos diode connection.

mos 分 ggnmos , scr_nmos diode
发表于 2014-9-21 16:13:59 | 显示全部楼层
我也想知道。
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