瑞萨电子与台积电携手40奈米制程技术合作

even_ryen · 发表于 2012-5-29 09:48:13

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瑞萨电子(Renesas Electronics)与台积电共同宣布，双方已签署协议，扩大在微控制器(MCU)技术方面的合作至40奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程，以生产应用于下一世代汽车及家电等消费性产品的微控制器。

瑞萨电子资深副总岩元伸一表示，历经日本大地震冲击多条生产线与客户业务之后，瑞萨已加快晶圆厂网路(Fab Network)的布建，成为公司营运持续计画的一环。藉由此次和台积电的合作，将为客户建造稳定供货的架构，致力为MCU打造一个设计生态环境。

台积电全球业务暨行销资深副总经理陈俊圣指出，瑞萨电子是微控制器市场的领导厂商之一，这次合作将协助提供瑞萨电子新产品推出时所需的效能，满足瑞萨客户对品质及可靠性的期待。

瑞萨电子先前已同意采用台积电90奈米嵌入式快闪记忆体制程，为该公司生产微控制器，在此40奈米微控制器合作案中，瑞萨电子将委托台积电生产40奈米及更先进制程的微控制器。

瑞萨电子与台积电将共同合作在MCU平台与制造所需的先进技术上取得领先地位，结合瑞萨电子支援高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化矽(Metal-Oxide-Nitride-Oxide -Silicon,MONOS)技术与台积电高品质技术的支援，包括先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程与灵活的产能调度。

此外，藉由将此MONOS制程平台提供给遍布全球的其他半导体供应商，包括无晶圆厂(Fabless)及整合元件制造商(IDM)，瑞萨电子与台积电将致力于建置一个设计生态环境，并扩大客户群。

基于双方长久以来稳固的合作关系，台积电提供瑞萨电子具有成本效益且可靠的制程能力，将快闪记忆体整合于单一微控制器上。

相较于目前的90奈米制程，采用40奈米制程生产的微控制器产品具备更高速、更低功耗的优势，且晶片尺寸缩小逾50%，这些特性对于整合型微控制器的设计格外重要，该设计将逻辑晶片、记忆体、及其他系统零组件压缩至极小的面积上。