成都上市电子公司招聘GaAs芯片高级研发team leader

gaojichutou

			申请职位	高级研发工程师team leader
申请人数	1	汇报对象	事业部分管副总	薪酬待遇	20 -40 万/年
聘用人员条件	学 历	硕士研究生及以上，微电子及相关专业
	工作年限	5年及以上
	岗位职责	设计/开发/调试功率达到5W的L/S波段GaAs射频功率芯片及版级设计。
	技能要求	（1） 有成熟GaAs射频功率放大的芯片产品研发经验； （2） 熟悉ADS，Cadence等射频芯片设计工具； （3） 熟悉射频功率放大器测试仪器及测试方法。
	其他能力	项目管理及团队协调能力
	项目情况	公司计划介入GaAs、PA方向的芯片产品，以打造北斗应用完整的器件系列，预期在北斗及相关领域有较大市场表现。

如考虑请发mail:tom@risfond.com .电话：13908090394(tom）