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[资料] 2010-Optimization ESD of RF High-Speed IO Interface-MD Ker

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发表于 2011-10-5 20:45:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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Optimization on Layout Style of ESD Protection
Diode for Radio-Frequency Front-End and
High-Speed I/O Interface Circuits

Chih-Ting Yeh, Ming-Dou Ker, Fellow, IEEE, and Yung-Chih Liang

IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, VOL. 10, NO. 2, JUNE 2010

Index Terms—Diode, electrostatic discharge (ESD), layout,
radio-frequency (RF).

abbr_2c83b9819820659359695ce1c188e44c.pdf

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 楼主| 发表于 2011-10-5 20:46:08 | 显示全部楼层
best。。。

Abstract—The diode operated in forward-biased condition has
been widely used as an effective on-chip electrostatic discharge
(ESD) protection device at radio-frequency (RF) front-end and
high-speed input/output (I/O) pads due to the small parasitic loading
effect and high ESD robustness in CMOS integrated circuits
(ICs). This work presents new ESD protection diodes drawn in
the octagon, waffle-hollow, and octagon-hollow layout styles to
improve the efficiency of ESD current distribution and to reduce
the parasitic capacitance. The measured results confirmed that
they can achieve smaller parasitic capacitance under the same
ESD robustness level as compared to the stripe and waffle diodes,
especially for the diodes drawn in the hollow layout style. Therefore,
the signal degradation of RF and high-speed transmission can
be reduced because of smaller parasitic capacitance from the new
proposed diodes.
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发表于 2011-10-6 10:22:56 | 显示全部楼层
anothr good material fro ESd design
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发表于 2011-10-6 10:48:14 | 显示全部楼层
good material fro ESd design
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发表于 2011-10-15 12:16:36 | 显示全部楼层
3QQQQQQQ
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发表于 2011-10-21 15:54:47 | 显示全部楼层
it is very useful for me
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发表于 2011-11-28 13:54:32 | 显示全部楼层
回复 1# semico_ljj

XIEXIE
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发表于 2012-10-26 10:48:33 | 显示全部楼层
kankan
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发表于 2016-9-11 17:37:57 | 显示全部楼层
thank you
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