寻求ESD文献

jiangbing1975 · 发表于 2011-5-12 18:33:35

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《Improving the ESD failure threshold of silicided n-MOS output transistors by ensuring uniform current flow》
This paper appears in: Electron Devices, IEEE Transactions on
Issue Date: Feb 1992
Volume: 39 Issue: 2
On page(s): 379 - 388
ISSN: 0018-9383
INSPEC Accession Number: 4129483
Digital Object Identifier: 10.1109/16.121697
Date of Current Version: 06 八月 2002
多谢，多谢！

zhukh · 发表于 2011-5-14 19:18:23

回复 1# jiangbing1975

看来我不传就没人传了啊呵呵

jiangbing1975 · 发表于 2011-5-16 11:31:35

回复 2# zhukh
那是因为您是这方面的专家，收集的资料又精又全。
有你在是大家福气呀。

zhuangzd11 · 发表于 2011-5-16 18:24:43

看看，学习一下

andyjackcao · 发表于 2011-5-22 14:45:17

好文章

dilyyao · 发表于 2011-6-3 14:08:55

看看先

davium · 发表于 2011-6-18 11:03:35

thanks a lot

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