关于带隙基准的仿真

xi8meng · 发表于 2011-4-19 23:03:13

回复 10# 夏天里的绿荫

你说的有道理，我没试过。你两种方法比较一下，记得把结果告诉我咯！

夏天里的绿荫 · 发表于 2011-4-20 20:31:40

恩，好的

管子 · 发表于 2011-4-20 21:13:33

stb怎么进行仿真啊？

blue_163_com · 发表于 2011-4-21 16:29:58

在两个断点之间插入iprobe（这个analogLib库中有），然后用std仿真。具体仿真步骤，打开stb后，你就自然会了。
哈哈哈！

iamsailing · 发表于 2011-7-16 10:44:00

好东西，多谢LZ了

i0977454522 · 发表于 2014-12-5 11:08:01

我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间的离散程度
主要是因为
（1）同一个wafer上不同位置的die
（2）同一批次中不同wafer上die
（3）不同批次中的die
工艺稳定会影响bandgap的初始精度
这方面主要关系到器件参数
（1）电阻绝对值的精度约+/- 20%
（2）pn结电压等
这些其实受工艺决定，比如doping density ,the depth of difussion,
doping profile 等

liyanwei106 · 发表于 2016-1-26 15:55:14

用stb就不用这么纠结了，谢谢。

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