怎样才可以知道一个工艺的电子迁移率和栅氧电容

司徒温孤 · 发表于 2011-1-19 16:02:30

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在公式Id=1/2Un*Cox*（w/l）*（Vgs-Vth）中出现的工艺参数，如（Cox、Vth），怎样可以从工艺厂商提供的".lib”等资料中直接得到啊？我要这些参数是为了手推一些运算放大器的参数的。
我是大菜，刚入行，请各位大牛不吝赐教！！谢谢，谢谢！

hezudao · 发表于 2011-1-19 19:01:33

直接拿个管子做dc, btw平房率公式算出来的和实际想差太多没啥意义

有宋 · 发表于 2011-1-23 21:44:09

如果有hspice model，迁移率用u0，Cox用栅氧厚度tox加SiO2的介电常数估算，Vth同样用Vth0。注意选好九宫图的位置。我一般只用来估算过驱动电压，其余价值不大。

司徒温孤 · 发表于 2011-1-28 12:04:45

回复 3# 有宋

谢谢啊！

zfmdcy · 发表于 2011-2-8 21:05:13

cox，u0正解

纯白雾隐 · 发表于 2011-7-21 17:14:54

谢谢啦。。。。。很好。。。

k0k0k0k0 · 发表于 2011-7-21 18:39:48

model文件里面的.mdl文件里有啊

核桃树 · 发表于 2013-11-3 15:04:46

u0只是用于level1模型吧

冰馨若颜 · 发表于 2015-3-21 17:41:28

回复 2# hezudao

每个管子处在不同的电流情况下他的那些参数不变吗

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