SDRAM 的 write recovering 到底是什么意思？

NANHU_BRUCE

SDRAM 的 write recovering 到底是什么意思？

lixiaojun707

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内存存储单元包括子线（wordline 又称行row）和位线（bitline 又称列column），如下图所示。内存读写操作时，先行地址有效，接着列地址有效，之后就可以对存储电容中的内容进行读写操作了。

针对楼主的问题，解答如下：

对于内存，在进行数据的写（write）操作时：由于数据信号由控制端发出，信号输入时芯片无需做任何调校，只需直接传到数据输入寄存器中，然后再由写入驱动器进行对存储电容的充电操作，因此数据可以与CAS（Column access strobe，列地址有效）同时发送，也就是说写入延迟为0。不过，数据并不是即时地写入存储电容，因为选通三极管（就如读取时一样）与电容的充电必须要有一段时间，所以数据的真正写入需要一定的周期。为了保证数据的可靠写入，都会留出足够的写入/校正时间（tWR，Write Recovery Time），这个操作也被称作写回（Write Back）。tWR至少占用一个时钟周期或再多一点（时钟频率越高，tWR占用周期越多）

即使是读后立即重写的设计，由于是与数据输出同步进行，并不存在延迟。只有在写操作后进行其他的操作时，才会有这方面的影响。写操作虽然是0延迟进行，但每笔数据的真正写入则需要一个足够的周期来保证，这段时间就是写回周期（tWR）。