在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2721|回复: 4

[转贴] ISSCC登場 專家預測後CMOS時代接班技術

[复制链接]
发表于 2010-3-9 22:49:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
一年一度的國際固態電路會議(International Solid State Circuit Conference,ISSCC)日前(2月8日)在美國舊金山登場,一位在會議上發表演說的學界專家表示,晶片微縮應可在接下來的15年內持續進展,他並預測了「後CMOS時代」的接班技術。喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)旗下Joseph M. Pettit微電子研究中心教授James Meindl在ISSCC的專題演說中表示:「在接下來的15年,我們會持續用力微縮晶片;而在矽晶片技術之外,奈米電子領域的革命性發展也許會以石墨烯(graphene)為中心演進。」
他預測,處理器矽製程可能會微縮至7.9奈米節點,時程在2024年;而在那之前或之後,石墨烯可望實現未來的兆級運算(terascale computing)。
為何是石墨烯從自旋電子(spintronics)、分子電子(molecular electronics)等技術中脫穎而出,成為後CMOS時代結束後最有希望的接班技術?以下是Meindl所提供的六個理由?
1. 石墨烯的機械性強度-重量比(strength-to-weight ratio),超越其他所有已知的材料;
2. 其載體遷移率(carrier mobility)超過200,000cm2/Vs;
3. 被稱為「迪拉克費米子(Dirac fermions)」的零有效質量載體與光子(photon)類似的,其速率比光速小三百倍,在微米等級的距離範圍內無散射(scattering);
4. 其電流傳導密度是銅的一千倍,無電子遷移(electromigration);
5. 在室溫下的熱傳導性曾達到超過5,000W/mK的記錄;
6. 能做為場效應電晶體(FET)的源/通道汲極,也能做為互連(interconnect)。
不久前,美國賓州大學的研究人員才宣佈製造出4吋(100mm)石墨烯晶圓片,預告了碳IC時代不遠的訊息(參考該報導)。
(參考原文:ISSCC: Expert picks winner for post-CMOS era,by Mark LaPedus)
发表于 2010-5-28 20:50:16 | 显示全部楼层
不错哦 呵呵
发表于 2010-5-31 22:02:46 | 显示全部楼层
学习了
谢谢楼主!
发表于 2010-6-6 08:49:21 | 显示全部楼层
今天才看到,我out了
发表于 2010-6-10 00:29:16 | 显示全部楼层
不错~~~~
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-19 02:14 , Processed in 0.016588 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表