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S3C44B0X外接SDRAM计算刷新寄存器中refresh count总是有点疑问,有做过这个的朋友吗?就连S3C44B0X的datasheet上面举例来算refresh count的是时候,都是假设刷新周期为15.6us,但是现在的SDRAM刷新周期不都是数十毫秒以上吗?但是如果真的将刷新周期设置为毫秒级来求算refresh count的话,按照S3C44B0X的datasheet上面的公式将会得到一个负数。肯定是我有什么地方没搞清楚,哪位兄弟指点一下? |
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