带冗余位的分段CDAC的桥接电容计算

XDicer22

各位前辈好，我想做一个分段CDAC，MSB权重为256（16） 128（8） 64（4） 32（2） 32 （2）16（1） 桥接电容  LSB权重为8（8） 8（8） 4（4） 2（2） 1（1）1(DUMMY)

我之前一直错误的将桥接电容按二进制计算，将整个LSB和桥接电容等效为MSB的最小权重（24/23*CU)，但是由于整个CDAC变成非二进制，我不太清楚桥接电容的计算应该以什么为准了。

待学芯

分段电容SAR ADC模型分享与说明

XDicer22

   

待学芯 发表于 2025-12-19 18:22
分段电容SAR ADC模型分享与说明

前辈，您发的这个我能理解。但我目前困惑的点在于，我并不知道桥接电容选取得依据是什么，因为我是非二进制的CDAC，如果仍然按照二进制去取，会有什么影响吗？

待学芯

主要是为了匹配吧，尽可能的让桥接和后级电容是单位电容的整数倍甚至是二进制的，这样版图原则上就是完全匹配的。如果带小数，那么版图要画一个不太规则的电容，失配会大一些。
而且桥接电容失配影响后级电容的失配。设计实现时的固定电容失配越小越好，哪怕有校准。

我理解的非二进制电容阵列，是用于高速ADC里面减少建立时间不足带来的影响的，高位电容不是2的整数次方。
你举例的这个就是带冗余位的二进制电容阵列，注意区分采样电容和切换电容就好了