关于MOS管gds的疑问

mylove2 · 发表于 2013-8-13 15:22:29

回复 1# 星空吴

你再仔细看看现代工艺中MOST是什么样的，halo doping,DIBL，SCBE效应，早已经不是长沟道器件（4um）的理论情况了，vds—id曲线一直在常规的饱和区上翘，不是平的

mylove2 · 发表于 2013-8-14 09:19:38

回复 4# 星空吴

为什么要信手册？自己带到spectre里仿真看看，到底是什么样

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