请教EEPROM设计高手

silentboy1218 · 发表于 2011-3-16 09:36:52

同问，请问楼主的问题解决了吗？

silentboy1218 · 发表于 2011-4-8 22:26:14

回复 5# 过路心客
请问single poly EEPROM 的CELL单元的读写操作应该如何仿真？这种结构的CELL单元是用两个电容连接在一起，比如将两个PMOS管以电容方式相接，两个管子的栅端相连，来模仿浮栅结构。
但不知道这种结构怎么去仿真它的读写操作？

silentboy1218 · 发表于 2011-4-10 19:06:42

回复 8# 过路心客

谢谢你的回答。因为这种以两个电容连接方式的mos管模仿浮栅管，可以用标准的cmos工艺实现，可以节约成本。有文献报道过这种结构的EEPROM，但都没有讲这种CELL在相应的端口上加多大电压进行读写操作的模拟仿真。所以很困惑。

silentboy1218 · 发表于 2011-4-11 18:34:29

回复 10# 过路心客
那这种基于标准CMOS工艺的NVM只能根据工艺估计擦写电压，流片过后再进行验证了？
请问国内除了SIMC，其他哪些公司能提供.18um的MTP（或EEPROM）工艺的PDK？（就目前了解的情况看，华润上华无此工艺的MTP工艺，TSMC只提供IP，不提供PDK）

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] 请教EEPROM设计高手