GGNMOS的漏端比源端宽

Lazymushroom

首先，需要搞清楚GGNMOS的ESD原理，当漏端发生ESD后，有大电流汇入，在漏区和衬底之间的PN结发生雪崩击穿，空穴从漏区注入衬底，在衬底的寄生电阻影响下，衬底电位增高。当空穴注入到一定值后（ESD电流大到一定值后），寄生的LNPN开启，开始泄放大电流。
但是！！！，过大的电流会发热，而寄生的LNPN的Vbe是负温度系数，温度升高导致Vbe减小，使LNPN泄放的电流更大，一直正反馈恶性循环造成第二次热击穿（不可恢复）。
所以！D区画大是为了增大散热面积。