线性稳压器负载电容在100nF~1uF下如何处理环路稳定性的问题

wbfan06

求教一下楼主，那个线性稳压器负载电容在100nF~1uF下如何处理环路稳定性的问题目前解决了吗？
我现在的项目是通过选择Nmos作为调整管，引入一个与负载相关的深线性区MOS，做零极点补偿，主极点始终放在了内部。PVT下，相位裕度都是大于45deg的，但是跑瞬态仿真时，个别工艺角，特定温度下会出现震荡现象（原因大概就是瞬态时深线性区的MOS状态改变了），但我也不知道如何改善。
想求教楼主最后用了什么技术补偿成功的。