无片外电容LDO补偿以及瞬态响应增强

RF_IClearn

                               
登录/注册后可看大图

                               
登录/注册后可看大图

有没有人知道这种补偿结构是否可以做在无片外电容的LDO里？
另外有没有无片外电容LDO瞬态响应增强的结构或者论文推荐？

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-19 17:15
不好，因为cascode补偿不适合片外小电容的场景，主要是Cc内环的PM不足，很难去调整外部大环的阻尼比 ...

谢谢，请问一下有推荐的瞬态响应增强的LDO结构吗？

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-22 11:20
之前做的regulator参考了这篇文章，也可以调到稳定，但是cascode补偿引入的高频共轭极点会在GBW处产生gain  ...

您这里说的内环是指CC那个环吗？外环是反馈到输入管的环？

另外您说的cascode补偿不适合片外小电容，是指CL小于uF级的吗？

RF_IClearn

   

KesCyi 发表于 2025-9-22 13:33
可以看看一些FVF结构的LDO

好的，谢谢

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-22 18:18
对，说的就是Cc内环，你推导一下内环的稳定性就可以知道了，和CL关系非常密切 ...

如果说内环的稳定性和CL关系密切，那么片内LDO，CL也是片内电容的，都不适合用cascode补偿？

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-23 10:21
https://www.xiaohongshu.com/explore/674d0fa00000000007034bb1?xsec_token=AB08u-1Vllwbq2LxpmQN45AA8UA9 ...

如果LDO有片外大电容CL，那是不是可以不用做补偿，主极点放在CL就可以了

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-23 17:09
我的理解是fd放在LDO输出位置上，负载变化时fd波动太大？那你就要确保整个负载范围内fnd的位置
...

我看了一下这篇贴子，在cascode补偿中，内环的PM影响外环的稳定性，一方面可以增大共栅管的gm避免peak，但是这个在负载特别大的时候（功率管gm大），这种方法可能就不合适了，因此这种方法适合负载小的LDO？

第二种方式是大的CL，大的CL，同时做cascode补偿，是要把主极点放在OP输出端吗？

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-24 10:48
这就回到你之前看的那篇JSSC了，那篇文章就是经典的cascode大电容补偿，它采用的方法是低负载下，因为功 ...

你的意思是功率级的增益和负载有关系？

负载变大，gm变大，但是功率管的rout会变小，Av没有太大变化吧

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-24 14:02
我之前这个描述确实不大清楚

十分感谢

RF_IClearn

   

sityrer123 发表于 2025-9-25 09:28
其实我在想，既然是capless的LDO，我之前设计的时候也没做好，我加了buffer就是想把EA输出分裂，但是又用 ...

主要是capless的LDO，片内电容量级比较尴尬，在空载或者轻载的情况下，输出极点和OP极点很接近，另外这篇论文的话，主要是想参考他的瞬态响应增强的功能