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[求助] SOI工艺版图问题

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发表于 2018-10-13 18:46:43 | 显示全部楼层
回复 1# 13955610667


   要看你的是FD还是PD的SOI,FD的SOI,没有真正意义的体引出,所谓的体引出其实是背栅。FD的一般是比较先进的工艺,28这种。背栅有几种选择,要看你用的那种器件。
   PD的,一般是。13以上这种,可以做体引出,用T型栅做隔离。也可以体完全浮空,就是什么都不接,所谓的浮体。看你的意思是用浮体的管子,什么都不接就可以了,一般是有对应的模型的。
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发表于 2018-10-19 15:15:41 | 显示全部楼层
回复 5# 13955610667

   浮体的器件就是3端的啊,怎么会过不了LVS?你没有设计规则和相对应的PDK么?
   除非你想用浮体的三端器件,然后模型又选了四端的器件。


   附图是一个四端的T栅体引出的例子,具体规则,FAB的设计规则应该有详细规定的,你对照查阅就可以了。

   另外以上所讲,包括附图都是对PDSOI来说的。对应FDSOI,是没有所谓的传统体引出的,所谓的体引出就是背栅引出,可以做不同WELL,不同偏压的体引出,用来调器件的阈值电压,这个解释起来更复杂些,你如果做的是FDSOI,直接看设计规则就好了。

    PDSOI.PNG
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