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[求助] 关于tsmc180nm工艺mos管的工作电压的问题

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发表于 2020-11-19 13:12:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
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我想问一下tsmc180nm工艺中,nmos2v和nmos3v的工作电压分别为1.8v和3.3v,那么这个最大工作电压指的是Vgs或者Vgd吗?漏源电压Vds的大小有没有限制呢?

发表于 2020-11-20 09:48:33 | 显示全部楼层
fab model 文件上一般会写vgs vds vbs在0~1.2vdd的情况。
按照这个设计,同时遵守drc rule,量产有保障。

如果想偷规则有没有数据支撑就要冒点风险。
vgs耐压主要由栅氧厚度决定,一般偷不了。但有一种情形是同样栅氧厚度的mos,不同的L,VGS耐压不同。
vds耐压相对好一些,通过增大L可以改善。

多数情况都可以通过改变设计来限制以vds,vgs,vdb,vbs的电压。(可能会多一些面积)

超过最大工作电压短时间不会出问题,长时间可能对寿命有影响。

以上纯属推测。
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 楼主| 发表于 2020-11-20 09:50:11 | 显示全部楼层
射频电路中Vds往往很大,不知道会不会出问题
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发表于 2020-11-20 10:13:24 | 显示全部楼层


   
nanke 发表于 2020-11-20 09:48
fab model 文件上一般会写vgs vds vbs在0~1.2vdd的情况。
按照这个设计,同时遵守drc rule,量产有保障。


刚看到的一篇mos管击穿原理的文章,解答了我关于vg=0和vg=vdd的mos耐压区别的疑惑。http://www.kiaic.com/article/detail/2348.html


射频不是常开的,而且vds只是峰值大,应该还好吧。有看到vgs=0-2.5 vds=0-5的,但不知是否所有mos都这样。



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发表于 2020-11-20 17:50:43 | 显示全部楼层
vds超一点,一般mos管不会坏,寿命会降低
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