模拟集成电路设计（带具体W/L的设计）

acging

LYS013 发表于 2020-3-16 22:38
根据电流去反推 W/L 吗？ 最近看资料看得我都懵了

那搭几个简单电路操练一下啊，整个电流镜或单级放大器，跑个dc看看工作点不难吧。。。

david_reg

LYS013 发表于 2020-3-16 22:37
gm / id 这个方法就是感觉看不太懂具体的意思，不同的视频和PPT都看过了，就是没找到那个感觉
...

通常的教课书上的例子(比如Allen的运放设计)计算W,L时采用的公式都是基于长沟道的Level1 MOS模型, 而目前的大多数工艺都是复杂的短沟道模型, 想要通过公式计算出精确W,L是很困难的; 在根据spec和小信号模型计算出管子所需的小信号参数(比如gm)后, 这时通常有两个选择, 一是根据bsim模型手册查找与长沟道level1 模型中对应的参数(比如un, Cox等), 然后用level1公式计算出w, l的一个大概值, 然后再在这个的值附近根据实际仿真结果进行调整, 直到管子的小信号参数值满足spec的计算结果; 这个反复的仿真调整过程可以结合仿真器的数值优化功能进行自动化加速;

二是采用gm/Id的flow, 不需要考虑任何器件模型公式, 只需要利用器件的尺寸与小信号参数的查找表就可以得到w, l; 由于查找表是通过仿真精确生成的, 这时得到的w, l值会比第一种方法准确很多, 基本不需要在反复调整了.
可以看看这个, 里面有一个简单的例子
http://bbs.eetop.cn/forum.php?mo ... systematic%2Bdesign

LYS013

david_reg 发表于 2020-3-17 13:16
通常的教课书上的例子(比如Allen的运放设计)计算W,L时采用的公式都是基于长沟道的Level1 MOS模型, 而目前 ...

感谢分享经验，谢谢啦~

hfuttcy

david_reg 发表于 2020-3-17 13:16
通常的教课书上的例子(比如Allen的运放设计)计算W,L时采用的公式都是基于长沟道的Level1 MOS模型, 而目前 ...

谢谢分享

苏AE86

gm/id的方法确实为初学者提供了一个挺好的设计捷径，不过用过之后还是一知半解

qinguzhang

iamtorres9 发表于 2020-3-15 23:55
在PDK的仿真模型里，可以找到u0就是迁移率，还有tox栅氧厚度来推出Cox。
设计模块找到切入点就好办，比如运 ...

深有同感

夜冷了

对于新手这个问题确实困扰。
模拟集成电路手册 这本书上面的电路都给了尺寸，allen 的书上有些电路也给了尺寸。理论的话，我觉得sansen 的精粹说的比较直观。
首先，你需要让电路跑起来。
尺寸的设计，首先你需要有个设计需求，然后你需要有个设计思路。比如设计一个运放，输入范围，输出范围，结构，压摆率，带宽，负载，电源电压，噪声，面积等指标。有了这些，你才带上了镣铐，然后可以起舞了。

LYS013

夜冷了 发表于 2020-10-29 20:56
对于新手这个问题确实困扰。
模拟集成电路手册 这本书上面的电路都给了尺寸，allen 的书上有些电路也给了尺 ...

有的时候想按照书上有尺寸的电路来仿真，但是手上的PDK又和书籍里的电路用的不一样。也试过自己虚构一个电路的指标，然后根据书里的公式来手算，但是好像会订出一些根本无法完成或者计算的指标，所以挺困扰的。

夜冷了

去TI或者ADI 下个规格书，把指标减减试试呗。

LYS013

夜冷了 发表于 2020-11-9 22:17
去TI或者ADI 下个规格书，把指标减减试试呗。

谢谢建议，我会去试试看的~