模拟集成电路设计（带具体W/L的设计）

LYS013

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这是一个求助帖，想问问有经验的大佬们一个问题
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        在看了很多模拟IC设计的书籍或者资料后，可是到了实际电路设计的时候，才发现面对PDK无从下手，比如：
        1，不知道类似ux，Cox等等参数应该在PDK中哪里查找（这个可以通过仿真得到）
        2，不知道在实际设计中，管子的W/L不知道应该怎么确定下来，以运放为例，只能手算出管子之间的W/L的比值，但是，第一个MOS管的W/L实在不懂应该怎么确定下来

还请有经验的大佬能分享一点心得，或者一些比较详细的学习资料，谢谢啦~

acging

管子一般看的是vdsat值，sansen推荐200mV左右，然后根据电流去反推w/l，这是常用的设计方法。
w/l并不需要像allen例题那样算的很精确，本来Model就比教科书上复杂太多，只要在一个大致的范围内就可以。
当然这种方法无法适用所有管子，可以看看论文，有些会写出w/l的。
总之就是熟能生巧，多学多练。

iamtorres9

在PDK的仿真模型里，可以找到u0就是迁移率，还有tox栅氧厚度来推出Cox。
设计模块找到切入点就好办，比如运放，如果对功耗有要求，从电流入手；对GBW有要求就从电容对管入手，经验很重要。
找到切入点，然后根据Allen的教材不难设计出每一个管子的尺寸。
最后根据系统仿真对模块做优化。
自己的一些经验，希望能帮到你。

xuwenwei

我看资料里 写 L先定下来 一般取工艺最小值的4倍左右，但是也是可调的

david_reg

可以了解一下gm/Id的设计方法, 这种方法不需要u0, Cox, Vdsat等参数.

xipan

根据面积、速度、匹配折中定下L，再调W

LYS013

david_reg 发表于 2020-3-16 08:53
可以了解一下gm/Id的设计方法, 这种方法不需要u0, Cox, Vdsat等参数.

   
     gm / id 这个方法就是感觉看不太懂具体的意思，不同的视频和PPT都看过了，就是没找到那个感觉

LYS013

acging 发表于 2020-3-15 21:43
管子一般看的是vdsat值，sansen推荐200mV左右，然后根据电流去反推w/l，这是常用的设计方法。
w/l并不需要 ...

   
    根据电流去反推 W/L 吗？ 最近看资料看得我都懵了

LYS013

   
    首选先感谢一下大家的解答，感谢~

LYS013

   我现在就是想找到一份相对来说特别具体一些的那种教程，就是有一个实例，然后带你从定第一个管子的W/L开始的那种