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楼主: RFcircuits

[求助] 深N阱工艺求助

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发表于 2019-12-30 16:26:47 | 显示全部楼层
这是什么工艺?才会有DNW里会有PWELL
发表于 2020-10-21 11:14:11 | 显示全部楼层
学习中
发表于 2020-10-22 17:29:02 | 显示全部楼层
DNW和B端不是一个点位。。。你的剖面图是不是少了B端P+注入
发表于 2021-6-18 18:11:05 | 显示全部楼层
围一圈nwell接高电平,pwell肯定接比最高电平低的电平,不会发生pn结导通
发表于 2021-11-12 09:22:40 | 显示全部楼层
一般B都是再引出来接GND的
发表于 2021-11-29 16:58:28 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2022-1-4 20:42:46 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2023-3-14 10:22:08 | 显示全部楼层
器件物理中,deep n-well不就是为了做好隔离(防止器件之间的干扰-噪声)和处理阈值电压(体效应),两种的话一般不是吧B和S相连,也就不会出现B是很高电压的状况,N阱接VDD就可以,防止深N阱和里面的P阱穿通。
发表于 2023-8-1 18:12:07 | 显示全部楼层


hlittlej94 发表于 2023-3-14 10:22
器件物理中,deep n-well不就是为了做好隔离(防止器件之间的干扰-噪声)和处理阈值电压(体效应),两种的 ...


那需要B和S相连呢?这个N-well电位该怎么接
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