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[求助] CMOS 3.3V工艺实现 5V IO 口保护

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发表于 2019-6-28 11:16:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教大佬们一个问题,在 CMOS 3.3V 工艺里怎么对 5v 的输出信号进行 ESD 保护,5v 电源的esd保护我已经做好了,但是使用 5V 的输出信号怎么对 avss 和 5v 同时做 ESD 保护,保证其对 avss 和 5v 都能过 HBM 2000V?我目前的想法是输出信号对 5V 对 avss 分别做电平移位 RC GGMOS ,但是这样版图面积开销太大了,想问问有什么更优秀的结构吗?或者有什么推荐的资料可以参考一下!谢谢各位大佬!

发表于 2019-6-28 13:07:28 | 显示全部楼层
3.3V 如何耐压5v ?? 难道串接 MOS ?

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 楼主| 发表于 2019-6-28 13:13:24 | 显示全部楼层


   
andy2000a 发表于 2019-6-28 13:07
3.3V 如何耐压5v ?? 难道串接 MOS 管?


恩,mos 管串联并工作在亚阈值区做电平移位到 3v

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发表于 2019-6-28 16:34:15 | 显示全部楼层
啥叫电平移位?level shift吗?
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 楼主| 发表于 2019-6-28 16:59:32 | 显示全部楼层


   
genehuang 发表于 2019-6-28 16:34
啥叫电平移位?level shift吗?


捕获.PNG

就这个,我们公司这么叫它,一个 pmos 阈值大概 500mV,4个串联刚好在芯片正常工作时把 A 点电压限制在 3V 左右。

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发表于 2019-6-28 17:22:36 | 显示全部楼层
3.3V 工艺做5V的输出信号,那就必须加你这个PMOS串联再输出,那高电平还有输出驱动能力吗?
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发表于 2019-7-4 14:57:07 | 显示全部楼层


   
stefandIC 发表于 2019-6-28 16:59
就这个,我们公司这么叫它,一个 pmos 阈值大概 500mV,4个串联刚好在芯片正常工作时把 A 点电压限制在  ...


其实3.3v 会分压 ,但是, 万一其中一个特性不一样, 会电压跨到其中一个. 其实一般 3.3v就当3.3v, MOScascade 方式串虽然可行, , 不是好工作方式..否则FAB 工艺何必开发可耐高压LDMOS, 不果如果没法用5V那只能如此

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发表于 2019-7-4 15:00:22 | 显示全部楼层


   
stefandIC 发表于 2019-6-28 16:59
就这个,我们公司这么叫它,一个 pmos 阈值大概 500mV,4个串联刚好在芯片正常工作时把 A 点电压限制在  ...


这图有错吧 ..最下面那 BULK 接上面 VDD, 那最下面那MOSS-B 跨压会出事吧 , 除非
你赌junction breakdown 耐得住  ..3.3V   gate =3.3 ,  Vds 你要赌耐 ~5v ??


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发表于 2019-7-7 23:30:48 | 显示全部楼层


   
andy2000a 发表于 2019-6-28 13:07
3.3V 如何耐压5v ?? 难道串接 MOS 管?


可以实现,用类似cascode的ESD结构,这个是很成熟的方案了。
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发表于 2019-7-9 12:24:33 | 显示全部楼层
PMOS加入WELL_Control
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