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楼主: wokaoman

[求助] Intel 22nm 3D/Trigate Transistors工艺问题

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发表于 2019-7-19 17:17:09 | 显示全部楼层


   
wokaoman 发表于 2019-7-19 11:21
请教:HKMG中的high-k一般是HfO2,它是用什么方法沉积的?ALD吗。。。其中的metal gate是什么材料?一般 ...


HFO确实是用ALD长的,Metal Gate就是AL,先做amorphpous poly,昨晚Spacer和LDD,S/D之类的,在ILD前把amorphpous poly remove掉,在sputter AL->AL CMP 结束
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 楼主| 发表于 2019-7-29 09:14:58 | 显示全部楼层


   
lijie5992373 发表于 2019-7-19 17:17
HFO确实是用ALD长的,Metal Gate就是AL,先做amorphpous poly,昨晚Spacer和LDD,S/D之类的,在ILD前把am ...


那最后的铜互联呢?一般是用铜电镀还是PVD铜?印象中PVD铜不好刻蚀成线才发展铜电镀的吧?
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发表于 2019-7-29 11:06:29 | 显示全部楼层


   
wokaoman 发表于 2019-7-29 09:14
那最后的铜互联呢?一般是用铜电镀还是PVD铜?印象中PVD铜不好刻蚀成线才发展铜电镀的吧? ...


小伙子,40/28时代就是CU ECP了
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 楼主| 发表于 2019-7-31 10:16:43 | 显示全部楼层


   
lijie5992373 发表于 2019-7-29 11:06
小伙子,40/28时代就是CU ECP了


好的,谢谢前辈,哈哈
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 楼主| 发表于 2019-8-18 16:39:31 | 显示全部楼层


   
lijie5992373 发表于 2019-7-19 17:17
HFO确实是用ALD长的,Metal Gate就是AL,先做amorphpous poly,昨晚Spacer和LDD,S/D之类的,在ILD前把am ...


22nm工艺的metal gate是PVD沉积的5nm左右的TiAl吧?之后又用CVD沉积100nm的W钨,这个钨能算metal gate吗?
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发表于 2019-8-19 11:19:28 | 显示全部楼层


   
wokaoman 发表于 2019-8-18 16:39
22nm工艺的metal gate是PVD沉积的5nm左右的TiAl吧?之后又用CVD沉积100nm的W钨,这个钨能算metal gate吗 ...


Metal gate其实是一堆金属材料的堆叠,并不能说TIAL就是metal gate, 它只是其中的一部分。你可以认为之前多晶硅poly去掉后,填入的金属都是metal gate的一部分,
HK: HFO+ILOX
NMOS metal gate stack: TIN+TAN+TIAL(NWFM)+W
PMOS metal gate stack: TIN+TAN+TIN(PWFM)+TIAL+W
pmos metal gate多的那一层是用来balance N/P MOS 功函数用的,平衡Vt
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 楼主| 发表于 2019-8-19 15:41:44 | 显示全部楼层


   
lijie5992373 发表于 2019-8-19 11:19
Metal gate其实是一堆金属材料的堆叠,并不能说TIAL就是metal gate, 它只是其中的一部分。你可以认为之 ...


谢谢,非常清楚了。
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