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PPT|阻变存储器可靠性与表征(下载奖励信元和资料)

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RRAM是存储明日之星,但这些问题需要解决!


Subject:独家:半导体产学研合作技术大讲堂系列6 - RRAM是存储明日之星,但这些问题需要解决!


Headline: 阻变存储器可靠性模型及表征



存储器毫无疑问是现在集成电路市场上的明星。


抛开过去一年飞涨的价格不提,未来几年巨大的销量预期也让它成为各大厂商眼中的香饽饽,这也是吸引国内的长江存储、合肥长鑫和福建晋华等企业大举进军存储器产业的原因之一。但是随着产品和应用的发展,传统的电荷型存储器性能已经无法满足需求:



一方面在于FlashDRAM速度差距大,导致“存储墙”和“功耗墙”等问题的产生;另一方面信息存储与计算分离,成为大数据处理实时性的瓶颈。于是业界开始探索新型存储器,阻变存储器(RRAM)就成为厂商们的一个选择。由于拥有速度快、可靠性高、非挥发、多值存储和高密度的特性,这种存储能给满足现在新兴的人工智能等新兴应用领域的需求。


虽然优点不少,但我们同时也应该看到,RRAM面临着机理不清、涨落大、可靠性不足、工艺集成问题和模拟阻变特性优化等问题。在RRAM可靠性与表征的研究中,也同时还存在诸多挑战:如在RRAM器件,需要考虑瞬态测量、循环次数测试、微观原位表征;而在RRAM阵列,则有自动测试方法和读取速度的困扰。



为了更好地解决阻变存储器的可靠性与表征等问题,清华大学微纳电子系的高滨做了一个名为《阻变存储器可靠性与表征》的演讲,与大家探讨相关问题。


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