关于90nm迁移率的问题

zhenglibin86 · 发表于 2014-9-1 17:06:32

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cadence中仿真得到的nmos参数中可以看到迁移率为u0=0.38 cm^2/V*s 而看到0.18工艺库中 nmos的u0大概在422 左右
请问下怎么会差这么多，单位也完全一样。

taohuachangkai · 发表于 2014-9-1 18:35:56

cm变成um了？

taohuachangkai · 发表于 2014-9-1 18:36:51

不对不好意思当我没说

zhenglibin86 · 发表于 2014-9-1 19:26:46

回复 3# taohuachangkai

您也在cadence 中看过吗？

tunable_ads · 发表于 2014-9-1 19:34:56

按照半导体物理计算一下即可

zhenglibin86 · 发表于 2014-9-1 19:37:36

回复 5# tunable_ads

对半导体物理不是很熟悉，能请给个大概计算公式吗？　　谢谢你

sprlove · 发表于 2014-9-1 19:41:57

后面还有10^3吧

semico_ljj · 发表于 2014-9-1 20:11:29

回复 1# zhenglibin86

单位不一样

lishiliang · 发表于 2014-9-1 20:22:20

看错了吧LZ，在我用的90nm的model里，u0=0.036，单位是m^2/(V*s)。栅氧厚度tox=5.54nm，
计算得到的NMOS的unCox约等于275uA/V^2, 和仿真结果相符。
敬请LZ仔细核查

zhenglibin86 · 发表于 2014-9-2 08:39:39

回复 9# lishiliang

嗯嗯 file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\124883564\QQ\WinTemp\RichOle\`Y1QVRY65}OVDFBM4378_AT.jpg

u0

tox

您好，您看下，这是我仿真结果。不知道是否准确？
单位我也希望是m^2/v*s
另外，tox在90nm 应该在2左右吧

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