GGNMOS的几点疑问？

analogg · 发表于 2018-8-22 15:29:37

回复 2# ruinsnku

mark

江湖人92 · 发表于 2019-1-21 15:17:21

解释的非常透彻！顶！！！！！

江湖人92 · 发表于 2019-1-21 15:19:14

6# 说的对，4.48V以下主要是齐纳击穿，也就是隧穿；
而punch through是短沟道效应的一种。

caoshujia · 发表于 2019-3-22 10:10:33

学习了，感谢

christ0426 · 发表于 2019-6-12 21:58:54

多谢分享

xuwenwei · 发表于 2019-7-18 11:02:14

sunjimmy 发表于 2013-9-21 16:32
snapback的產生是因為 NMOS下寄生的 parasitic lateral BJT 導通.
要trigger這個parasitic lateral bipolar ...

GGNMOS 就是为了防 ESD的那么为了防止烧毁，还需要ESDrule，这个rule是距离还是再加一个ESD电路啊

我诗故我在 · 发表于 2020-6-19 14:49:33

good mark

yzhfy · 发表于 2020-11-7 10:09:23

顶一个

辞世笑 · 发表于 2021-12-7 21:01:10

good

thomas_gui · 发表于 2023-5-9 06:11:49

学习了

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