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楼主: ygyg100

[求助] GGNMOS的几点疑问?

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发表于 2018-8-22 15:29:37 | 显示全部楼层
回复 2# ruinsnku

mark
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发表于 2019-1-21 15:17:21 | 显示全部楼层
解释的非常透彻!顶!!!!!
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发表于 2019-1-21 15:19:14 | 显示全部楼层
6# 说的对,4.48V以下主要是齐纳击穿,也就是隧穿;
而punch through是短沟道效应的一种。
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发表于 2019-3-22 10:10:33 | 显示全部楼层
学习了,感谢
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发表于 2019-6-12 21:58:54 | 显示全部楼层
多谢分享
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发表于 2019-7-18 11:02:14 | 显示全部楼层


   
sunjimmy 发表于 2013-9-21 16:32
snapback的產生是因為 NMOS下寄生的 parasitic lateral BJT 導通.
要trigger這個parasitic lateral bipolar ...


GGNMOS 就是为了防 ESD的 那么为了防止烧毁,还需要ESDrule,这个rule是距离 还是再加一个ESD电路啊
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发表于 2020-6-19 14:49:33 | 显示全部楼层
good mark
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