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查看: 4891|回复: 7

[求助] 场氧和栅氧的介电常数分别是多少?

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发表于 2013-7-3 15:04:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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应该不一样吧?
发表于 2013-7-4 11:06:39 | 显示全部楼层


   
回复  fuyibin


    愿闻其详……
cyl 发表于 2013-7-4 08:53



现在process中都不是单纯用SiO2的,需要用到氮氧化硅的各种介质层
还有一点就是现在有high-K, low-K 工艺,
gate 用high-k,使其物理厚度增大,等效栅氧减小
上层metal的isolation 用low-k,使得寄生电容减小
需要detail information 去查 foundry的document
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发表于 2013-7-3 16:10:04 | 显示全部楼层
回复 1# loopgain


    应该一样吧,都是SiO2
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发表于 2013-7-3 20:56:16 | 显示全部楼层
回复 2# cyl

显然不一样
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发表于 2013-7-3 21:46:10 | 显示全部楼层
我觉得对于老工艺差不多吧 0.5um以上
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发表于 2013-7-3 21:47:27 | 显示全部楼层
新工艺STI 就有区别
氧化层击穿电压很高,氧化层介电常数一般不很重要
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发表于 2013-7-4 08:53:15 | 显示全部楼层
回复 3# fuyibin


    愿闻其详……
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发表于 2013-7-4 10:34:09 | 显示全部楼层
显然不一样。尺寸小点的工艺,栅氧是SiN材料。就算都是SiO2,湿法和干法获得的氧化层致密性不一样,介电常数也不一样。
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