工艺中PCM的BV_N4 是什么？

czjkk · 发表于 2012-5-12 11:30:15

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在PCM中的BV_N4参数和BV_N43是什么击穿电压？

czjkk · 发表于 2012-5-12 22:37:30

台积电TSMC018LV工艺中的PCM参数中

BV_N4参数和BV_N43是什么击穿电压？

源漏击穿电压？栅氧击穿？还是什么击穿？

求高手指教

iamshan · 发表于 2012-5-13 04:09:04

源漏击穿电压

czjkk · 发表于 2012-5-13 19:39:30

经过求证,BV_N4的定义：
四端器件：G、S、B三端接地，在D端加电压，当电流达到1uA时的D端电压便是BV_N4.
这个电压可能由三个原因引起：栅氧击穿电压、源漏穿通电压、漏衬击穿电压。
这三个电压中的最小值便是BV_N4

iamshan · 发表于 2012-5-13 21:57:46

这三个电压中除非器件有问题要不 DS之间的最小

oubvlcka · 发表于 2012-6-20 17:56:33

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我只是路过，不发表意见

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sicool · 发表于 2012-9-2 17:07:06

BV_N43是带DNW的NMOS

lk_rongxiang · 发表于 2019-6-1 09:55:42

PCM break voltage

XHED · 发表于 2019-7-28 20:37:29

BV_N4是core device的漏端击穿电压, BV_N43是IO device的漏端击穿电压

[求助] 工艺中PCM的BV_N4 是什么？