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楼主: 陈涛

[转贴] 后端面试--每日一题(067)

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发表于 2011-11-25 15:32:37 | 显示全部楼层
楼主,辛苦了!
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发表于 2011-11-25 18:01:22 | 显示全部楼层
说的是std cell height 能占用7~12 个 metal 2 track , 很形象,
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发表于 2011-11-25 18:02:18 | 显示全部楼层
回复 4# icfbicfb


    见过TI用过 8 track的, 65nm 是 0.21  x 8  =  1.68 um

有些大公司有自己的特色,
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发表于 2011-11-25 23:14:49 | 显示全部楼层
解释得太详细了,学习了,谢谢啊
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发表于 2011-11-27 12:19:42 | 显示全部楼层
总算清楚了,牛啊
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发表于 2011-11-28 17:22:33 | 显示全部楼层
回复 4# icfbicfb


    解释的很形象,很清楚,但是对于我们新手来说,其中的一些概念还是理解不动,比如:tap(n/p well pickup),这个不懂,版主能不能解释一下?
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发表于 2011-11-28 17:34:45 | 显示全部楼层
4楼正解,呵呵,都是做版图熟悉才知道
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发表于 2011-11-28 17:44:37 | 显示全部楼层
n/p well pickup 就是在nwell和psub上给他们的反偏置电位,能维持电路的稳定,防止latch-up效应,

比如给nwell加vdd,给psub加 vss, 这样都是反偏diode, 能防止正向导通,

这样的话要在nwell上画一块 implant N区域,用于 接到metal 1的VDD
psub上画一块 implant P区域, 接到metal1的vss,

这个小区域或者说接触就叫n/p well  pickup
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发表于 2011-11-29 15:02:10 | 显示全部楼层
top  icfbicfb!
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发表于 2011-11-29 15:30:35 | 显示全部楼层
太牛了 看来还有无数东西要学啊
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